測(cè)試原理

通過軟件程序控制，讓射線發(fā)生路產(chǎn)生適合的K射線去激發(fā)則試薄膜材料中的Sl或者其他元素，被X射線激發(fā)后變?yōu)椴环€(wěn)定態(tài),高能層的電子會(huì)躍遷到空穴并同時(shí)釋放特定能里被探則器接收,因每個(gè)元素都有自已特定

的能量特征線,通過探測(cè)器的識(shí)別，計(jì)算機(jī)軟件的計(jì)算,即可準(zhǔn)確識(shí)別該元素,并計(jì)算出含量。

儀器采用了大面積的晶體硅漂移探測(cè)器，分辨率能夠達(dá)到125eV,能分辨AI(鋁)元素和Si(硅)元素

技術(shù)特點(diǎn)

，測(cè)試采用X射線熒光光譜原理，測(cè)試過程無需耗材配置高清液晶顯示器，測(cè)試過程和測(cè)試結(jié)果一目了然光管垂直照射，硅元素性能得到更強(qiáng)激發(fā)設(shè)備集成多個(gè)usb接口，數(shù)據(jù)和通訊傳輸滿足多種要求測(cè)試下限好，可準(zhǔn)確測(cè)量0.01g/m2的涂硅量空氣光路內(nèi)部環(huán)境得到顯著優(yōu)化，大氣環(huán)境-樣可以直接測(cè)試采用大面積硅漂移探測(cè)器，測(cè)試結(jié)果極其準(zhǔn)確一鍵測(cè)試/操作簡(jiǎn)單智能，測(cè)試過程使用時(shí)間更短，結(jié)果更準(zhǔn)確